三菱ケミカル・日本製鋼所がGaN生産3倍増、次世代パワー半導体・EV関連銘柄への影響

GaN基板3倍増産で次世代パワー半導体の需給構造はどう変わるか

三菱ケミカルグループ（4188）と日本製鋼所（5631）が共同開発するGaN基板は、日本経済新聞 2026年7月8日が報じた通り、2027年4月に2021年度比3倍の生産能力を目指しています。同社は2024年11月にNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）のプログラムにも採択されており、6インチGaNウエハの量産技術開発を加速させる方針です（マネクリ／マネックス証券 2025年10月16日）。

GaNがEV・データセンター向けに訴求できる理由は明確な物理特性にあります。シリコンより高電圧に耐えられ、SiCと比べて電流のスイッチング速度が速いため電力損失を圧縮できます。EVの高速充電器では充電時間の短縮に直結し、データセンターではAI学習の電力コスト削減に直結します。この特性が認知されるほど、GaN基板への需要は量・品質ともに引き上げられます。三菱ケミカルグループの2026年3月期第3四半期決算説明資料によれば、半導体関連需要は堅調を維持しており、スペシャリティマテリアルズ事業が前年同期比118億円の増益となっています（三菱ケミカルグループ 決算説明資料 2026年2月5日）。

東京エレクトロン(8035)ら製造装置銘柄への影響と、SiC先行のローム・信越化学が抱える競合圧力

GaN基板の大口径化・量産化が進む局面では、対応する半導体製造装置の更新サイクルが生じます。東京エレクトロン（8035）は国内の半導体製造装置最大手であり、GaN対応の成膜・加工装置の需要拡大に対応できる位置にあります。加賀電子（8154）はパワー半導体デバイスの流通実績を持ち、GaN採用インバーター搭載EVの普及に伴う調達需要の窓口になり得ます。

一方で、SiCを主戦場に大型投資を進めてきたメーカーには競合圧力が生じます。ローム（6963）はSiCパワー半導体で国内トップを目指して設備投資を積み上げてきましたが、東洋経済オンラインが報じた通り、SiC需要の踊り場でリストラにも着手しており、GaN台頭が重なると投資回収の時間軸がさらに延びます。ルネサスエレクトロニクス（6723）もパワー半導体ラインナップでSiCを中心に据えており、GaNシフトへの対応コストが発生します。

信越化学工業（4063）はシリコンウエハで世界首位を誇りますが、GaN・SiCへの需要シフトはシリコン基板の成長余地を徐々に狭める構造があります。日本経済新聞 2026年4月によれば、信越化学の2026年3月期連結純利益はすでに前期比11.2%減となっており、次世代材料競合の長期圧力と重なります。日本高純度化学（4973）も半導体向け高純度薬品を主力としており、シリコン系プロセスの比率が高い事業構造が影響を受けます。

見落とされやすいEV充電インフラ・データセンター電源への波及

GaN採用が広がる最大の受益は、EV高速充電器とデータセンター電源という「電力変換装置」の市場です。GaNパワー半導体を搭載したインバーターは小型・高効率を実現するため、充電ステーションの設置コスト削減とデータセンターの冷却負荷低減の両方に寄与します。スタンレー電気（6923）は車載向け光源・電装部品が主力ですが、EV向け電装システム全体の設計が次世代パワー半導体を前提に組み直される局面では、部品調達先や設計仕様の見直し圧力が生じます。

ただし、シナリオ仮説として無視できないのは、中国メーカーによる低価格GaN製品の台頭です。GaN基板の製造技術が中国勢に横展開された場合、日本勢が今回積み増す設備の稼働率が下振れするリスクがあります。三菱ケミカルグループがEV電池向け電解液の米英拠点を2026年3月に売却したように（日本経済新聞 2025年12月12日）、市場環境の変化への対応速度が増産投資の成否を分ける構造があります。